全新的 TSIP7 增强功率封装产品已上市

2017年09月03日    分享到:

    力生美半导体全新的 TSIP7 高功率封装形式已设计验证完成,并将于近日开始向市场推出使用该封装形式的产品,该封装形式相对于传统的 DIP8 封装占板宽度降低原来的一半(宽度仅 4.5mm),内置 MOSFET 规格最多可增大至 2.5 倍(ID 达 12A);相对于传统的 TO220 封装板上高度降低超过一半(高度仅 9.3mm);PD 容量高达 2.2W 以上,可实现理论最高系统功率高达 65W 的 PWM 功率应用。

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TSIP 封装外观

    力生美半导体已陆续开始提供 TSIP7 的内置大功率 MOSFET 的 PSR 和 SSR PWM 功率开关产品,包括内置 10A MOS 的 PSR 产品 LN1F28,内置 7A MOS 的 PSR 产品 LN1F26,内置 10A MOS 的 SSR 产品 LN9T39,内置 7A MOS 的 SSR 产品 LN9T36,该系列产品将大幅提高力生美 PWM 功率开关产品可提供的功率输出容量,最高系统输出功率有望超过 50W。

型号 封装 耐压 ID 电流 输出功率 应用
LN1F26 TSIP7 650V 7A 30W 充电器
LN1F28 TSIP7 650V 10A 40W 充电器
LN9T36 TSIP7 650V 7A 35W PD/QC 快充
LN9T39 TSIP7 650V 10A 45W PD/QC 快充

    显著降低的封装高度和减小的占板宽度使得上述 TSIP7 产品非常适合应用于对体积要求极为严酷的充电器等产品应用,例如时尚小巧的 Type-C PD 快充电源等。

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30W USB Type-C PD 充电器

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    TSIP7 封装尺寸图

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